Bực mình vì giá RAM tăng vù vù do cơn sốt AI năm 2026, YouTuber Dr. Semiconductor đã làm nên kỳ tích khi tự chế tạo thành công RAM ngay trong nhà kho của mình, chứng minh rằng cá nhân vẫn có thể "cân" được những thứ tưởng chừng chỉ có đại gia mới làm được
Gần đây, cộng đồng phần cứng toàn cầu đã choáng váng vì một video không đầy 20 phút. Clip "Making RAM at home" do YouTuber Dr. Semiconductor đăng tải đã viral khắp nơi. Khác với những phòng lab tỷ đô, bối cảnh chỉ là một nhà kho ngoài vườn được cải tạo thành phòng sạch, với các thiết bị tự chế và phiến silicon lấp lánh dưới kính hiển vi
Video đã thu về hơn 1 triệu view, đánh dấu lần đầu tiên một người bình thường tự chế tạo thành công ô nhớ RAM trong môi trường... phi công nghiệp luôn á!
Nguồn cơn của dự án "bá đạo" này xuất phát từ việc giá RAM đắt "cắt cổ". Bước vào năm 2026, AI bùng nổ khiến nhu cầu bộ nhớ băng thông cao (HBM) tăng vọt. Các ông lớn như Samsung, SK Hynix và Micron phải ưu tiên sản xuất HBM để tối ưu lợi nhuận
Thực trạng này khiến công suất tấm wafer DRAM dành cho HBM chiếm tới 23%, làm khan hiếm nguồn cung RAM DDR5 thông thường. Kết quả là giá RAM 32GB DDR5 tăng đến mức "chóng mặt" luôn
Tuy nhiên, Dr. Semiconductor không hề mơ mộng về việc "giải cứu thị trường" đâu nhé. Thành quả hiện tại của anh là mảng thử nghiệm gồm 20 ô nhớ. Dung lượng này kém hàng chục tỷ lần so với RAM trong PC hiện đại. Nhưng đây vẫn là một cột mốc "xịn xò" vì việc chế tạo RAM từ con số 0 là thách thức kỹ thuật "cực đỉnh"
Về lý thuyết, một ô nhớ DRAM hoạt động dựa trên cấu trúc "1T1C" - gồm một bóng bán dẫn đóng vai trò công tắc và một tụ điện lưu trữ điện tích biểu diễn bit 0 và 1. Nguyên lý nghe có vẻ ez, nhưng thực hiện ở cấp độ vi mô lại hoàn toàn khác. Các dây chuyền thương mại giờ đã đạt tiến trình dưới 20 nanomet, với điện dung mức femtofarad. Để làm được điều đó, các nhà máy hàng chục tỷ đô phải dùng máy quang khắc siêu xịn
Dr. Semiconductor chọn hướng đi thực tế hơn. Thiết bị của anh hoạt động ở thang đo micromet, điện dung khoảng 12 picofarad, lớn hơn hàng ngàn lần so với DRAM thương mại. Mật độ linh kiện chỉ tương đương công nghệ đầu thập niên 1970.
Để đạt thành quả này, quá trình chế tạo chia làm ba giai đoạn "nghiêm túc" phết. Ban đầu, phiến silicon được cắt và làm sạch tuyệt đối. Tiếp theo là giai đoạn tạo hình cốt lõi, nơi anh đưa silicon vào lò nung tự chế tạo lớp oxit dày 330 nanomet, phủ màng cản quang và dùng kỹ thuật phơi sáng tia cực tím khắc hoa văn mặt nạ. Bước thứ hai là chế tạo bóng bán dẫn - công đoạn khó nhất
Việc tạo cực nguồn và cực máng đòi hỏi các bước ăn mòn và pha tạp hóa chất chính xác đến từng mili giây. Sau hàng chục lần "gg" (fail), anh mới tìm ra thông số chuẩn. Cuối cùng, ở giai đoạn kim loại hóa, nhôm được phun lên chip thông qua mặt nạ vi mô để hoàn thiện kết nối, cho ra đời 20 ô nhớ có khả năng đọc ghi điện tích
Sự thành công của dự án còn nhờ quá trình chuẩn bị hạ tầng "xịn sò". Từ tháng 3 năm 2026, anh đã tự xây phòng sạch chuẩn Class 100 trong nhà kho bằng hệ thống lọc HEPA và quạt áp suất dương, đủ để đáp ứng quy trình micromet ️
Những nỗ lực của Dr. Semiconductor gợi nhớ đến Sam Zeloof, kỹ sư trẻ người Mỹ từng tự làm chip "Z1" và "Z2" trong gara từ năm 2018 đến 2021. Nếu Zeloof tập trung vào mạch logic, thì dự án DRAM của anh chàng người Anh này đặt ra thách thức hoàn toàn khác.
DRAM đòi hỏi tính đồng nhất tuyệt đối và chất lượng tụ điện "perfect", vì bất kỳ sự rò rỉ điện tích nào cũng đồng nghĩa với việc mất dữ liệu. Do đó, thành tựu này được giới chuyên môn đánh giá là mảnh ghép bổ sung "chill phết" cho di sản mà Zeloof để lại
Nguồn: soha.vn
Gần đây, cộng đồng phần cứng toàn cầu đã choáng váng vì một video không đầy 20 phút. Clip "Making RAM at home" do YouTuber Dr. Semiconductor đăng tải đã viral khắp nơi. Khác với những phòng lab tỷ đô, bối cảnh chỉ là một nhà kho ngoài vườn được cải tạo thành phòng sạch, với các thiết bị tự chế và phiến silicon lấp lánh dưới kính hiển vi
Video đã thu về hơn 1 triệu view, đánh dấu lần đầu tiên một người bình thường tự chế tạo thành công ô nhớ RAM trong môi trường... phi công nghiệp luôn á!
Nguồn cơn của dự án "bá đạo" này xuất phát từ việc giá RAM đắt "cắt cổ". Bước vào năm 2026, AI bùng nổ khiến nhu cầu bộ nhớ băng thông cao (HBM) tăng vọt. Các ông lớn như Samsung, SK Hynix và Micron phải ưu tiên sản xuất HBM để tối ưu lợi nhuận
Thực trạng này khiến công suất tấm wafer DRAM dành cho HBM chiếm tới 23%, làm khan hiếm nguồn cung RAM DDR5 thông thường. Kết quả là giá RAM 32GB DDR5 tăng đến mức "chóng mặt" luôn
Tuy nhiên, Dr. Semiconductor không hề mơ mộng về việc "giải cứu thị trường" đâu nhé. Thành quả hiện tại của anh là mảng thử nghiệm gồm 20 ô nhớ. Dung lượng này kém hàng chục tỷ lần so với RAM trong PC hiện đại. Nhưng đây vẫn là một cột mốc "xịn xò" vì việc chế tạo RAM từ con số 0 là thách thức kỹ thuật "cực đỉnh"
Về lý thuyết, một ô nhớ DRAM hoạt động dựa trên cấu trúc "1T1C" - gồm một bóng bán dẫn đóng vai trò công tắc và một tụ điện lưu trữ điện tích biểu diễn bit 0 và 1. Nguyên lý nghe có vẻ ez, nhưng thực hiện ở cấp độ vi mô lại hoàn toàn khác. Các dây chuyền thương mại giờ đã đạt tiến trình dưới 20 nanomet, với điện dung mức femtofarad. Để làm được điều đó, các nhà máy hàng chục tỷ đô phải dùng máy quang khắc siêu xịn
Dr. Semiconductor chọn hướng đi thực tế hơn. Thiết bị của anh hoạt động ở thang đo micromet, điện dung khoảng 12 picofarad, lớn hơn hàng ngàn lần so với DRAM thương mại. Mật độ linh kiện chỉ tương đương công nghệ đầu thập niên 1970.
Để đạt thành quả này, quá trình chế tạo chia làm ba giai đoạn "nghiêm túc" phết. Ban đầu, phiến silicon được cắt và làm sạch tuyệt đối. Tiếp theo là giai đoạn tạo hình cốt lõi, nơi anh đưa silicon vào lò nung tự chế tạo lớp oxit dày 330 nanomet, phủ màng cản quang và dùng kỹ thuật phơi sáng tia cực tím khắc hoa văn mặt nạ. Bước thứ hai là chế tạo bóng bán dẫn - công đoạn khó nhất
Việc tạo cực nguồn và cực máng đòi hỏi các bước ăn mòn và pha tạp hóa chất chính xác đến từng mili giây. Sau hàng chục lần "gg" (fail), anh mới tìm ra thông số chuẩn. Cuối cùng, ở giai đoạn kim loại hóa, nhôm được phun lên chip thông qua mặt nạ vi mô để hoàn thiện kết nối, cho ra đời 20 ô nhớ có khả năng đọc ghi điện tích
Sự thành công của dự án còn nhờ quá trình chuẩn bị hạ tầng "xịn sò". Từ tháng 3 năm 2026, anh đã tự xây phòng sạch chuẩn Class 100 trong nhà kho bằng hệ thống lọc HEPA và quạt áp suất dương, đủ để đáp ứng quy trình micromet ️
Những nỗ lực của Dr. Semiconductor gợi nhớ đến Sam Zeloof, kỹ sư trẻ người Mỹ từng tự làm chip "Z1" và "Z2" trong gara từ năm 2018 đến 2021. Nếu Zeloof tập trung vào mạch logic, thì dự án DRAM của anh chàng người Anh này đặt ra thách thức hoàn toàn khác.
DRAM đòi hỏi tính đồng nhất tuyệt đối và chất lượng tụ điện "perfect", vì bất kỳ sự rò rỉ điện tích nào cũng đồng nghĩa với việc mất dữ liệu. Do đó, thành tựu này được giới chuyên môn đánh giá là mảnh ghép bổ sung "chill phết" cho di sản mà Zeloof để lại
Nguồn: soha.vn