Công nghệ Trung Quốc gây bão toàn cầu, truyền thông quốc tế phải công nhận sự thật không thể chối cãi

Tháng 4/2025 vừa rồi, team nghiên cứu từ Đại học Fudan đã thả "bom tấn" công nghệ với thiết bị bộ nhớ flash pico giây mang tên "Dawn" - nghe tên thôi đã thấy huyền thoại rồi! Họ đã dùng vật liệu hai chiều để xử lý cái vấn đề nan giải về tốc độ lưu trữ chậm như rùa bò của các thiết bị truyền thống. Kết quả? Tốc độ đọc/ghi dữ liệu lên tới 400 pico giây, nhanh hơn hàng chục nghìn lần so với công nghệ bộ nhớ flash hiện tại luôn!

Bộ nhớ flash nhanh nhất hành tinh là đây chứ đâu ⚡

Các trang công nghệ đình đám như Tom's Hardware đã phải lên tiếng thẳng thắn: đây chính là bộ nhớ flash nhanh nhất thế giới, bỏ xa cả các sản phẩm của Mỹ. Team nghiên cứu đã cày cuốc bao nhiêu năm trời, làm từng thí nghiệm cơ bản để tạo ra con chip nguyên mẫu này. Bí kíp nằm ở chỗ họ xài graphene - loại vật liệu cho phép electron "chạy" gần như không gặp chướng ngại vật nào.

Bình thường, các USB hay SSD truyền thống phải mất hàng trăm micro giây để đọc/ghi dữ liệu, nhưng em này xử lý cả núi thông tin chỉ trong chớp mắt thôi! Kết quả nghiên cứu được đăng trên tạp chí Nature danh giá, và giới chuyên môn đã công nhận đây là bước tiến đột phá trong lĩnh vực bộ nhớ bán dẫn.

Tờ South China Morning Post gọi nó là "Poxiao" (nghĩa là bình minh), báo hiệu kỷ nguyên mới trong công nghệ bộ nhớ đang tới. Trung Quốc đã dẫn đầu trong mảng này và không còn bị kẹt bởi những rào cản công nghệ nữa rồi!

b653ffcf87d4c0683c64.jpg


Trong khi công nghệ bộ nhớ flash của Mỹ vẫn đang "nằm ì" ở mức micro giây, thì thiết bị mới này có thể hoạt động 2,5 tỷ lần mỗi giây - chênh lệch kinh khủng luôn á! Nhóm nghiên cứu đã xây dựng mô hình gần như hai chiều để dự đoán hành vi điện tử, và con chip đã chạy ổn định sau khi kiểm chứng thực nghiệm.

Trang Graphene-info cho biết team Trung Quốc đã dùng vật liệu dựa trên graphene, đạt hiệu suất vượt trội hơn hẳn các sản phẩm cùng loại. Tiến bộ này giúp tiết kiệm cả thời gian lẫn năng lượng trong quá trình train AI, vì việc truyền dữ liệu giờ không còn là "nút cổ chai" nữa!

Đến tháng 10/2025, nhóm nghiên cứu lại "flexing" thêm khi tung ra chip nhớ flash kiến trúc lai hai chiều dựa trên silicon có tên "Changying CY-01". Đây là sản phẩm đầu tiên trên thế giới kết hợp công nghệ cốt lõi của "Dawn" với quy trình sản xuất dựa trên silicon. Hiệu năng của nó cao hơn 200.000 lần so với bộ nhớ flash truyền thống - nghe con số thôi đã choáng váng rồi!

Fudan News đưa tin đây là bước tiến quan trọng từ nguyên mẫu đến sản phẩm thực tế. Interesting Engineering cũng phải nhấn mạnh sự tiến bộ "bá đạo" của Trung Quốc trong lĩnh vực bán dẫn. Team nghiên cứu dự định tiếp tục optimize, hướng tới sản xuất hàng loạt và đưa công nghệ này vào đời sống thực tế.

Trung Quốc đang có những bước đột phá chất lừ

Các công nghệ truyền thống bị giới hạn bởi vật liệu, lúc nào cũng có điện trở trong quá trình truyền dẫn điện tử, nhưng Trung Quốc đã giải quyết vấn đề này bằng cách sử dụng lớp hai chiều - khá là thông minh!

Bài báo của SCMP chỉ ra rằng công nghệ này không chỉ nhanh mà còn không bị mất dữ liệu khi tắt nguồn, đảm bảo dữ liệu vẫn nguyên vẹn ngay cả khi mất điện đột ngột. Trung Quốc, với cách tiếp cận sáng tạo của mình, đã phá vỡ các kỷ lục về lưu trữ toàn cầu một cách ngoạn mục!

b60a1dab9b726064e354.jpg


Cộng đồng công nghệ toàn cầu đang dần dồn sự chú ý vào tiềm năng của Trung Quốc trong lĩnh vực phần cứng AI. Công nghệ này có thể giúp điện toán đám mây hoạt động hiệu quả hơn và giảm lãng phí năng lượng đáng kể. Truyền thông quốc tế phải thừa nhận rằng Trung Quốc thực sự đang leading game trong lĩnh vực này!

Tính đến tháng 12/2025, nhóm nghiên cứu vẫn đang đẩy mạnh quá trình công nghiệp hóa. Sản xuất hàng loạt quy mô nhỏ đã được tiến hành, kết hợp với công nghệ CMOS.

Nguồn: genk.vn
 
Back
Top